Previous
Next
Mocvd 碳化硅加热器
江苏环能拥有21年碳化硅加热器专业制作技术经验及完善的品控管理体系。
能够替代进口MOCVD碳化硅加热器或原厂配件。
公司能够根据客户需要进行OEM定制开发。
主要使用行业：半导体芯片、LED芯片等行业
- MOCVD腔体温度控制精度可达±0.5℃
- 加热均匀度高达 1200°C
- 具有较大辐射表面与间隙比
- 比传统金属加热器更低的温度下运行
产品描述
MOCVD， 全称Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金属有机化学气相沉积设备），是在基板上生长半导体薄膜的一种技术。利用MOCVD技术，许多纳米层可以以极高的精度沉积，每一层都具有可控的厚度，以形成具有特定光学和电学特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的关键工艺技术。
江苏环能研发的Mocvd碳化硅加热器适用于多类型机型，可替代国外进口碳化硅加热器，实现国产替代，性能测试可靠！我们还可根据客户具体要求定制研发其他型号和尺寸，满足各种定制化需求！
技术参数
如何选择的合适的CVD加热器？
现阶段，石墨加热器被用于大多数沉积阶段。然而，在高温，高 O2 分压下运行时，石墨加热器会氧化并消耗。
与之相比，固体碳化硅加热元件在氧化气氛中仍可提供更高的耐用性。
固体碳化硅元件由 β SiC 材料制成，各方面都更加坚固。它们耐机械冲击，在高温下不受反应性气体/氧化的影响。它们还经过优化，可提供最佳的温度均匀性。由于辐射表面与间隙比大，所有这些元件的运行温度都比常用的金属丝加热器低得多，从而确保了加热器的使用寿命。
